英特磊IET-KY（4971）公布第1季營收新台幣2.2億元，年增44.72%；稅後淨利4209.5萬元；EPS 1.16元，則較110年同期的0.05元增加22倍，也較110年第4季旺季的0.74元增加56.76%，不僅營收大幅提升，獲利更是大躍進。
英特磊董事長高永中表示，由於物聯網、5G持續快速發展，加上疫情影響，全球對於雲端作業的需求更是加重，因此帶動全球高頻光纖網路加快覆蓋。而5G的基礎建設及高頻光纖網路中最重要的基本元件就是磷化銦（InP）的異質結雙極電晶體（HBT）、晶片光接收器（PIN）和雪崩式光接收器（APD），因此在市場需求強勁下，這3項高毛利產品帶動英特磊第1季獲利突飛猛進。
高永中指出，另外在氮化鎵（GaN）部分，高摻雜氮化鎵二次生長也是未來公司重要的成長動能。這種二次生長優勢在於磊晶品質佳且價格相對低，可大幅為客戶降低成本；新的趨勢是八英寸GaN/Si也開始考慮使用這種方式，市場需求樂觀。
所謂二次生長（regrowth），指的是在GaN磊晶元件上再以MBE技術生長高摻磊晶可有效提升產品效能；目前主要應用在國防、通訊及5G相關射頻（RF） GaN HEMT磊晶片。
根據市調公司GII所做的統計資料指出，全球雲端資料庫及DBaaS的市場規模預測將從2020年的120億美元，到2025年達到248億美元，在預測期間中預計將以15.7%的年複合成長率成長。
此外，5G基建部分也在各國政府積極推廣的狀態下，研究機構Gartner 2020年就已預估市場規模已達80億美元，且呈現逐年成長的態勢。
（中央社）
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