聯電(2303)繼日前公告,以租地委建方式興建Fab12i P3廠房,契約相對人為亞翔(6139)新加坡分公司,契約總金額88.13億元。聯電公告,自111年7月15日至18日向亞翔新加坡分公司取得Fab12i P3廠務設備一批,總金額達103.03億元,主要供生產用。
聯電Fab12i P3廠房位於新加坡白沙晶片園(Pasir Ris Wafer Park),聯電斥資9.54億元,向JTC集團取得11萬1750平方公尺土地30年使用權。
據聯電規劃,新廠第1期月產能3萬片晶圓,預計2024年底量產,將提供22奈米及28奈米製程,支應5G、物聯網和車用電子需求,總投資金額50億美元。
(中央社)
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