調研機構TrendForce根據最新調查分析指出,先前因三大供應商積極建置HBM(高頻寬記憶體)產能,加上預計新廠到2026年才會步入量產階段等因素,因而原先對於2025年DRAM價格走勢看法偏樂觀。然而,近期市場動態變化快速,使得TrendForce對2025年的價格預測進行調整,由上漲轉為下跌;2025年上半年的跌幅較明顯,其中DDR4和LPDDR4X的降價壓力,將持續大於DDR5與LPDDR5X。
從供給角度分析,由於NAND Flash市況同步轉弱、且獲利能力較DRAM產品差,將促使部分產線轉向DRAM。此外,雖然HBM3e 12hi明年有望快速成為AI應用主流,但並非每家供應商都能如期通過輝達(NVIDIA)的認證,因此供應商將矽穿孔(TSV)產能轉回一般型DRAM(conventional DRAM)的可能性增加。
TrendForce也認為,由於中國業者產能擴張快速,成為三大供應商以外的最大供給來源,此外,消費型電子產品需求持續弱化,也將為2025年DRAM價格走勢帶來衝擊。若廠商未能做好產能調控,TrendForce示警,整體產業庫存的去化速度將更加緩慢。
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