聯電（2303）公告，以租地委建方式興建Fab12i P3廠房，契約相對人為亞翔（6139）新加坡分公司，契約總金額88.13億元，將供生產使用。
聯電Fab12i P3廠房位於新加坡白沙晶片園（Pasir Ris Wafer Park），聯電向JTC集團取得11萬1750平方公尺土地30年使用權，估計總金額約9.54億元。
據聯電規劃，新廠第1期月產能3萬片晶圓，預計2024年底量產，將提供22奈米及28奈米製程，支應5G、物聯網和車用電子需求，新廠總投資金額50億美元。
（中央社）
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