聯電（2303）指出，南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠共計將投資100億美元，逾新台幣3000億元，將於3、4年內完成投資。
其中，新加坡P3廠位於白沙晶片園（Pasir Ris Wafer Park），預計2025年量產，以22奈米及28奈米製程生產。因缺工缺料及機台交期長的影響，量產時程將較原先規劃的2024年底延遲超過1季時間。
聯電表示，南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠投資金額將以自有資金支應，並不會對未來股利發放造成影響，將維持穩定配發率。
（中央社）
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