5/1台版晶片法子法草案預告 研發費用門檻60億以上

民視新聞楊思敏、李奇台北報導

俗稱「台版晶片法」的《產業創新條例》第10條之2,在經濟部和財政部討論後,5/1預告子法草案,申請門檻訂在,研發費用60億以上,研發密度6%,用在先進製程的設備支出100億元,支出總額的25%和5%,可抵減當年營業事業所得稅。

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護國神山台積電赴美設廠,尋求美國最多150億美元補助。不只美方,日韓也推相關法案,台灣則是今年初三讀通過修訂,俗稱「台版晶片法」的《產業創新條例》第10條之2,5/1經濟部預告子法草案,彙集各界意見。

5/1台版晶片法子法草案預告 研發費用門檻60億以上
經濟部長王美花說,「怎麼樣鼓勵台灣研發,還有稅務的平衡,讓台灣的研發再增加,然後領先的地位,在國際上保持領先,這個是國家的重要政策。」

財政部長莊翠雲說,「居於國際供應鏈,關鍵地位的公司,能夠得到相關租稅的獎勵,兩個部(財政和經濟部),經過討論以後應該是確定了。」

未來擁有創新技術、在國際供應鏈有關鍵地位的公司,都可以申請。政府訂下門檻,研發費用新台幣60億、研發密度達6%,另外,購置先進製程的設備支出達100億元,研發費用的25%和設備支出金額的5%,都可抵減當年的營所稅。

光電協進會特約研究顧問柴煥欣說,「資本支出方面的話,則是要達到100億新台幣,這樣子一個高門檻,門檻大概就只有針對台積電,甚至是聯發科,還有說不定極少數的廠商,可以通過,5個手指頭大概算得出來的數字。」

專家認為,條文中「先進」的定義,恐怕劃分出通過標準。力積電董事長黃崇仁就曾批評,似乎只針對台積電或少數設備廠進行補助,聯發科董事長蔡明介則是期待政府,提出更完整內容。

5/1台版晶片法子法草案預告 研發費用門檻60億以上
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