工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，工研院與台積電開發的SOT-MRAM單元，兼具低功耗及10奈秒高速工作等優點，結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫MRAM過去以記憶體為主的應用情境。
張世杰說，工研院與台積電（2330）合作成果於國際電子元件會議（IEDM）發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量，未來這技術可應用於高效能運算、AI人工智慧及車用晶片等。
工研院致力推動國內半導體市場開啟新興應用，在「智慧化致能技術」應用領域，研究發展非揮發性記憶體創新技術，協助國內產業界發展高價值的技術與產品。
（中央社）
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