這款全新晶片將在鎧俠位於日本岩手縣的北上工廠第二廠房（Kitakami Plant Fab2），採用最先進的設備進行製造。隨著生成式AI與雲端運算快速發展，資料中心對於儲存設備的傳輸速度與節能表現要求愈來愈高，鎧俠的新技術正是為了迎合此一趨勢。
在技術規格方面，第10代技術結合了「CMOS直接鍵合至陣列」（CBA）與OPS（On-Pitch Select Gate Drain）技術，使NAND介面速度達到4.8 Gb/s，較第8代產品提升了33%。此外，透過堆疊高達332層晶片，位元密度大幅提升59%，寫入與讀取功耗效率也分別改善18%與30%，能有效降低資料中心與企業基礎設施的營運成本。
鎧俠表示，目前公司採取獨特的「雙軸策略」並進，一方面推廣高性價比的第9代解決方案，另一方面則以第10代技術主打極致容量與頂級效能，全面搶攻現代AI基礎設施的龐大商機。
