蔚華科（3055）表示，現行的碳化矽（SiC）檢測方式是將晶錠切片，取上、下兩片基板進行破壞性氫氧化納（KOH）蝕刻檢測。
蔚華科指出，與南方科技合作的非破壞性缺陷檢測系統，是採用非線性光學技術，掃描碳化矽基板，找出基板內部的晶體缺陷，每個晶錠可以省下兩片用以檢測的基板。
此外蔚華科表示，相關檢測系統可以全面檢測晶錠，進行晶錠分析和批次追蹤分析，有助改善製程、提升產量。
蔚華科指出，與南方科技合作推出非破壞性缺陷檢測系統後，未來將加速將南方科技在Micro LED、矽光子等先進光學檢測技術的商業化。
（中央社）
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