2017年2月美光提告指控，前整合部課長何建庭，2015年底跳槽聯電，竟然複製美光機密文件和檔案，前品質工程部副理王永銘2016年4月離職前，更濫用職權，讀取美光DRAM製造方法和技術，檔案多達931個，兩人帶著大量機密文件和聯電協理戎樂天研究，讓聯電和中國廠商晉華在短短2個月，順利開發出32奈米DRAM設計規劃。台中地檢署認為，聯電和被告3人違反《營業秘密法》等罪嫌，予以起訴。
歷時2年多審理，台中地院今天判處聯電協理戎樂天6年6月徒刑、併科罰金新台幣600萬元，何建廷5年6月、罰金500萬元，王永銘4年6月、罰金400萬元，3人犯罪所得沒收，聯電公司則判罰金1億元，全案可上訴。
（民視新聞網／綜合報導）
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