快新聞/美光跳槽洩密案遭判1億 聯電:將提上訴
聯電對台中地院判決提出上訴。(圖/民視新聞資料照)

晶圓代工廠聯華電子遭控竊取美國記憶體晶片大廠美光商業機密,台中地院今天判處3名曾在台灣美光公司任職的聯電高階主管,4年6月至6年6月不等徒刑;聯電則遭判罰金1億元,全案可上訴。聯電表示將依法提起上訴。

美光前整合部課長何建庭2015年底跳槽聯電,複製美光機密文件和檔案。美光前品質工程部副理王永銘2016年4月離職前,也濫用職權讀取美光DRAM製造方法和技術,兩人帶著大量機密文件和聯電協理戎樂天研究,讓聯電和中國廠商晉華在短短2個月,順利開發出32奈米DRAM設計規劃。

台中地院經2年9個月審理,今天下午宣判,合議庭判決3人有罪,聯電被判處罰金新台幣1億元。

對此,聯電表示本次DRAM製程技術之研發,是政府投審會事先核准之專案,且為聯電以自有技術為出發點,由300多位工程師組成的研發團隊(其中多數為聯電經驗豐富的研發人員)通力合作,耗時超過2年自主開發DRAM製程。

聯電提出,其保留相關研發紀錄,期盼經此過程訓練的DRAM研發人才與研發結果能根留台灣。除了工程師們的努力之外,聯電多年累積的研發經驗及傳承,更是驅動開發的中流砥柱。

聯電認為,並未違反營業秘密法,將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。在上訴審中,聯電將提出本案調查及審理過程中諸多違反刑事訴訟法規定的可議之處,如「偵訊過程中有不當誘導訊問」、「對聯電有利的陳述未能詳實記載於調查筆錄中」、「電磁及其他證據在鑑識上不符規定」等等。

聯電堅信上訴法院若能依法並公正審酌本案證據,必能證明聯電並未違反營業秘密法。

聯電表示,他們是台灣第一家半導體公司,一向正派經營,尊重智慧財產權,對台灣半導體產業發展與人才培養貢獻良多。聯電所有技術均為研發團隊自主研發或取得第三人授權。

為有效保護客戶包括營業秘密在內的智慧財產權,聯電指出,在營運的每一環節皆有健全的資訊分級、存取控制及監管機制。聯電也定期對員工施予智財保護相關的教育訓練,以提升員工的遵守法令意識;定期進行稽核,確保員工執行業務符合公司智財權保護政策。

此外,聯電也持續引進更為縝密及先進的管理措施及系統,以期能不斷加強並完善智慧財產權之管理。

(民視新聞網/綜合報導)

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