隨著AI邁入高運算時代，透過矽光子技術解決傳輸瓶頸，已成為各AI晶片巨頭對光共同封裝（CPO）進行重點投資，連帶引發光晶片（PIC）產能近期供不應求，包括格羅方德（GlobalFoundries）、高塔半導體（Tower）等二線半導體廠積極擴產因應，由於PIC不需用到先進製程，也成為聯電利用12吋晶圓推動轉型的重點。
聯電執行長王石更強調，聯電會卡位矽光子代工，絕不是產能不足下的「外溢效應」，而是憑藉12吋晶圓的製造能力，與同業現行的8吋主流做出明確差異化；此外，聯電一確定專注成熟邏輯與特殊製程後，也將12吋矽光子與先進封裝技術投入整合，這也是未來矽光子代工一大核心優勢，除了矽光子平台，聯電還有鈮酸鋰薄膜（TFLN）光子調變器材料的投入，也將進行量產。針對市場關心聯電與英特爾（Intel）在12奈米上的合作進度，以及未來是否有機會進一步向12奈米以下節點推進？聯電表示，目前首要任務是先順利交付12奈米專案，證明此商業模式的可行性，才會考慮下一階段的合作方向。《財訊》雙週刊指出，聯電今年第二季財務表現亮眼，合併營收達687.3億元，季增12.6%、年增17%；毛利率32.5%；歸屬母公司稅後純益為422.6億元，季增
161%、年增374%，單季每股稅後純益（EPS）為3.39元，累計上半年每股稅後純益達4.68元。展望第三季，聯電預估晶圓出貨量將季增7%至9%，產能利用率可望進一步提升
至近90%的水準，毛利率則上看36%。為因應矽光子與先進封裝的長期代工需求，聯電董事會批准新台幣1486億元資本支出，預計未來2至3年內擴建新加坡廠區，並於台南興建新廠。雖然新廠建置產生的折舊費用可能稍微壓制短期毛利空間，但公司強調，這是確保公司長期成長、不可或缺的策略性投資。
…（更多內容，請參閱《財訊》雙週刊第）
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