台積電8日表示，將從2030年開始使用荷蘭晶片設備大廠艾司摩爾（ASML）製造的全球最先進的晶片製造設備；南韓三星電子（Samsung Electronics）的目標是最快在2028年採用；美國晶片大廠英特爾（Intel）則表示，目前已經使用這款新設備進行量產。
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報導，這台由艾司摩爾獨家製造的高數值孔徑極紫外光（high numerical aperture extreme ultraviolet lithography machine，High-NA EUV）微影機，能讓晶片製造商印製出更細小的圖案和電路設計，來製造出更效能更強且更省電的晶片。
High-NA EUV微影機是全球最昂貴的晶片製造設備，價格最高可達3.5億歐元，這價格比每套2億美元的標準EUV設備高出一倍以上，甚至比一架F-35戰鬥機還貴將近4倍。
台積電和三星早在2019年，就已經是最早採用ASML標準EUV設備的晶片製造商之一。不過，台積電於2024年表示，A16製程不需要使用High NA EUV，到了2025年仍在評估適合的導入時機，認為現有EUV設備仍有進一步提升空間。如今，台積電把High-NA進入先進製程量產的時間點定在2030年，也讓這項下一代微影技術與台積電後續製程藍圖有了更清楚的交會點。
三星表示，計畫在2028年前把High-NA EUV設備導入DRAM記憶體晶片生產，若成真，將是記憶體產業首度採用這項技術。
台積電攜ASML推進12吋光罩 英特爾、三星力挺
此外，台積電與ASML於8日宣布，計畫為這款最新設備改造光罩。台積電表示，High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。
艾司摩爾總裁暨執行長福克（Christophe Fouquet）說，預期隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升，「初期會先使用目前的6吋光罩，，而後導入12吋光罩。12吋光罩能提高微影掃描設備的生產效率，也能讓產業滿足市場對更小、更快、也更節能晶片的需求。」
台積電和ASML的目標，是在2031年之前建立12吋光罩試產線，並於2033年之前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。
英特爾和三星也表示，2家公司都支持這項光罩生態系的改造，並將加入推動開發更大型光罩的行列，用於下一代晶片生產。
目前，只有台積電、英特爾和三星，在經濟能力與技術能力上，有能力量產最先進的邏輯晶片。至於像中芯國際（SMIC）等中國晶片製造商，由於受限美國和荷蘭出口管制，無法購買ASML最尖端的晶片製造設備，但中國仍積極利用較不先進的設備，持續創新晶片製造技術，以追求更先進的晶片製造能力，同時，中國也正試圖打造自己的「中國版ASML」。
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